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氧化镓的快速MOCVD生长

美国俄亥俄州立大学(OSU)就利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)提高氧化镓(β-Ga2O3)外延的生长速度进行了报告 [Dong Su Yu et al, Appl. Phys. Lett., v125, p242106 2024]。研究团队特别研究了改变

氧化镓 mocvd mocvd生长 2025-01-24 14:25  7

姚威振:新型MOCVD反应器设计,促进GaN材料创新发展

近日,第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛(IFWS&SSLCHINA2024)在苏州召开。期间,“氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上,中国科学院半导体研究所副研究员、中科重仪半导体联合创始人姚威振做了”GaN基光电材料外延与

反应器 姚威 mocvd 2024-11-28 21:22  10