中微公司，高深莫测！
中微公司不仅是大陆第一家进入台积电5nm产线的供应商，在刻蚀设备领域还具备和设备一哥北方华创掰手腕的底气。
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订单激增160%，中微公司，深不可测！
进入2025年，随着DeepSeek等大模型的商业化落地，AI算力需求爆发，芯片的需求量也是水涨船高。叠加行业上行周期的影响，全球半导体市场正以惊人的速度发展。
衬底晶面对MOCVD同质外延生长n-Ga₂O₃薄膜性质的影响研究
β-Ga2O3作为一种超宽禁带半导体材料，因优异的物理特性（如禁带宽度4.2~4.9 eV、高击穿电场强度8 MV/cm）在功率器件、日盲紫外探测等领域展现出巨大潜力。然而，高质量、大厚度、高迁移率的Ga2O3薄膜生长工艺仍面临挑战。金属有机化学气相沉积（MO
氧化镓的快速MOCVD生长
美国俄亥俄州立大学（OSU）就利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）提高氧化镓（β-Ga2O3）外延的生长速度进行了报告 [Dong Su Yu et al, Appl. Phys. Lett., v125, p242106 2024]。研究团队特别研究了改变
中微公司技术创新结硕果，MOCVD设备专利再获中国专利奖银奖
在科技创新的璀璨星河中，中微半导体设备（上海）股份有限公司及其子公司南昌中微半导体设备有限公司再次闪耀光芒。近日，他们共同持有的发明专利“化学气相沉积装置及其清洁方法”（专利号：ZL201510218357.1）在第二十五届中国专利奖评选中荣获银奖，这一荣誉无
Veeco Instruments宣布，Lumina MOCVD系统，支撑下一代microLED
Veeco Instruments欣然宣布，其Lumina MOCVD系统已荣耀加冕，成为支撑下一代microLED生产的璀璨明星，这一荣耀由PlayNitride亲手授予，并伴随着两套系统的璀璨订单，它们将在2025年的曙光中优雅交付。
mocvd luminamocvd veeco 2024-12-19 22:17 18
姚威振：新型MOCVD反应器设计，促进GaN材料创新发展
近日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。期间，“氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上，中国科学院半导体研究所副研究员、中科重仪半导体联合创始人姚威振做了”GaN基光电材料外延与