国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“沉积硅基介电膜的方法”的专利，公开号CN119895076A，申请日期为2023年7月。

nand 纵横比 沉积硅基 纵横比结构 硅基介电 2025-05-01 13:53  3