华为测试国产EUV光刻机!关键技术获突破 #euv光刻机
EUV里面最困难的一部分就是要如何产生极紫外光。这种极紫外光不是从日光灯光线里面折射出来的,它是要靠一种电浆,一种电浆发射出来波长大概在15纳米以下的光线才能够产生极紫外光。
EUV里面最困难的一部分就是要如何产生极紫外光。这种极紫外光不是从日光灯光线里面折射出来的,它是要靠一种电浆,一种电浆发射出来波长大概在15纳米以下的光线才能够产生极紫外光。
不管是支撑大型语言模型的超大规模数据中心,还是智能手机、物联网设备、自主系统里的边缘人工智能,前沿半导体在各个应用场景下的需求都在快速增长。但芯片制造严重依赖极紫外光刻(EUV)技术,该技术却成为扩大生产规模的关键阻碍。自 2019 年首批商用 EUV 芯片下
芯片行业寻求先进制程中灵敏度、分辨率与线宽粗糙度的最佳平衡。在EUV光刻技术中,尤其是在高数值孔径EUV系统中,平衡分辨率、灵敏度与线宽粗糙度(LWR)的权衡变得愈发困难。
从支持大语言模型的超大规模数据中心,到智能手机、物联网设备和自主系统中的边缘AI,各种应用对尖端半导体的需求都在加速增长。但制造这些芯片严重依赖极紫外(EUV)光刻技术,这已成为扩大生产的最大障碍之一。自2019年首批商用EUV芯片下线以来,设备、掩模生成和光
EUV技术自从其提出以来,面临着多重挑战,包括高成本、复杂的光学系统以及需要在高精度下制造光罩等。然而,随着技术不断成熟,EUV逐渐突破了制程限制,尤其在10nm及以下的制程中展现出了其不可替代的优势。
华为正式组建医疗卫生军团,这意味着华为将智慧健康产业纳入更高级的战略级别。据悉,新组建的医疗卫生军团或将整合华为在5G通信、云计算、边缘计算等领域的积累,依托昇腾计算架构与盘古大模型的技术底座,打造新一代智能医疗系统,将重点构建AI辅助诊断解决方案体系,推动医
中国自主研发的采用激光诱导放电等离子体(LDP)技术的极紫外光刻机(EUV)——该技术不同于ASML公司所采用的激光产生等离子体(LPP)技术——目前正在华为东莞工厂进行测试。试生产定于2025年第三季度,大规模生产则计划在2026年进行。
最近,美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)宣布开发出了一种名称为大孔径铥 (BAT) 激光器,这种激光器比现在行业内的标准CO2激光器将EUV光源提高约10倍。
一个一个摆上去肯定没戏,于是有了ASML这些公司,为的就是把这些二极管“印”上去,这玩意就叫平版印刷,也叫光刻。