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EUV光刻机代码惊人：4500 万行，与 Win10相仿

鉴于 EUV 设备的复杂性以及 ASML 40 多年的开发经验，需要一个同样复杂的支持软件堆栈。我还猜测，ASML 的选择堆栈文档也有一些以客户为中心的需求。话虽如此，任何一家成立几十年的公司都有机会精简流程，所以我有点好奇 ASML 在这方面的文化是什么样的

初创公司Lace Lithography AS（挪威卑尔根）正在开发一种光刻技术，该技术使用向表面发射的原子来定义特征，其分辨率超出了极紫外光刻技术的极限。

深夜的复旦大学实验室灯火通明，科研人员举着一块指甲盖大小的金色芯片，向世界宣告：中国绕开西方封锁，用-豆腐上雕花-的极致工艺，造出了全球首款二维半导体芯片！

近期，关于“新凯来”（Si Carrier）在光刻领域取得突破的传闻在网络上广泛传播，尤其是在2025年3月底的上海“半导体中国展”（Semicond China Expo）上首次亮相后，这家原本鲜为人知的公司突然成为焦点。一些人声称，新凯来展示了数十种半导体

EUV里面最困难的一部分就是要如何产生极紫外光。这种极紫外光不是从日光灯光线里面折射出来的，它是要靠一种电浆，一种电浆发射出来波长大概在15纳米以下的光线才能够产生极紫外光。

不管是支撑大型语言模型的超大规模数据中心，还是智能手机、物联网设备、自主系统里的边缘人工智能，前沿半导体在各个应用场景下的需求都在快速增长。但芯片制造严重依赖极紫外光刻（EUV）技术，该技术却成为扩大生产规模的关键阻碍。自 2019 年首批商用 EUV 芯片下

芯片行业寻求先进制程中灵敏度、分辨率与线宽粗糙度的最佳平衡。在EUV光刻技术中，尤其是在高数值孔径EUV系统中，平衡分辨率、灵敏度与线宽粗糙度（LWR）的权衡变得愈发困难。

从支持大语言模型的超大规模数据中心，到智能手机、物联网设备和自主系统中的边缘AI，各种应用对尖端半导体的需求都在加速增长。但制造这些芯片严重依赖极紫外（EUV）光刻技术，这已成为扩大生产的最大障碍之一。自2019年首批商用EUV芯片下线以来，设备、掩模生成和光

EUV技术自从其提出以来，面临着多重挑战，包括高成本、复杂的光学系统以及需要在高精度下制造光罩等。然而，随着技术不断成熟，EUV逐渐突破了制程限制，尤其在10nm及以下的制程中展现出了其不可替代的优势。

华为正式组建医疗卫生军团，这意味着华为将智慧健康产业纳入更高级的战略级别。据悉，新组建的医疗卫生军团或将整合华为在5G通信、云计算、边缘计算等领域的积累，依托昇腾计算架构与盘古大模型的技术底座，打造新一代智能医疗系统，将重点构建AI辅助诊断解决方案体系，推动医

中国自主研发的采用激光诱导放电等离子体（LDP）技术的极紫外光刻机（EUV）——该技术不同于ASML公司所采用的激光产生等离子体（LPP）技术——目前正在华为东莞工厂进行测试。试生产定于2025年第三季度，大规模生产则计划在2026年进行。

最近，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥（BAT）激光器，这种激光器比现在行业内的标准CO2激光器将EUV光源提高约10倍。

光刻 euv euv光刻 2025-01-14 18:36 13

一个一个摆上去肯定没戏，于是有了ASML这些公司，为的就是把这些二极管“印”上去，这玩意就叫平版印刷，也叫光刻。