东莞忆云申请一种FLASH芯片错误安装的自动检测修正电路及方法专利，FLASH 芯片错误安装时不会损坏且能正常工作
金融界 2024 年 12 月 18 日消息，国家知识产权局信息显示，东莞忆云信息系统有限公司申请一项名为“一种FLASH芯片错误安装的自动检测修正电路及方法”的专利，公开号 CN 119127556 A，申请日期为 2024 年 9 月。
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中大智能取得一种嵌入式NOR FLASH芯片的数据存储管理方法专利
国家知识产权局信息显示，中大智能科技股份有限公司取得一项名为“一种嵌入式NOR FLASH芯片的数据存储管理方法”的专利，授权公告号CN 113886281 B，申请日期为2021年9月。
三星将推出400+层第10代V-NAND
三星将在即将举行的国际固态电路会议（ISSCC）上展示新的超过400层3D NAND Flash，接口速度为5.6 GT/s。