摘要：美光在今年的MWC 2025上推出了全球首款基于G9 NAND技术的UFS 4.1和 UFS 3.1移动存储解决方案，支持Zoned UFS、数据碎片整理、Pinned WriteBooster、ILT（智能延迟跟踪器）等固件功能，以满足当今旗舰智能手机所需要

美光在今年的MWC 2025上推出了全球首款基于G9 NAND技术的UFS 4.1和 UFS 3.1移动存储解决方案，支持Zoned UFS、数据碎片整理、Pinned WriteBooster、ILT（智能延迟跟踪器）等固件功能，以满足当今旗舰智能手机所需要得高速和高容量存储的需求。同时凭借更小的封装尺寸，G9 NAND技术还能迎合超薄和折叠机型紧凑的内部设计。近日，美光对该技术作出进一步的解释，明确了具体的提升效果。

基于G9 NAND技术的SSD产品已于2024年推出

据官方介绍，G9 UFS 4.1移动存储芯片将提供超过4100MBps的顺序读写速度，提供1TB的大容量选项。相比G8 UFS 4.0（512G容量版本），它的顺序写入速度提升超过15%，随机读取/写入速度提升近10%，并减少长延迟（200ms+）的分配，带来更快的数据处理以及更流畅的响应体验。不仅如此，1TB的G9 UFS 4.1移动存储芯片的封装尺寸仅为9x13x 0.85mm，处于业界领先级别。

美光G9 NAND技术的专有固件功能同样发挥着重要的作用，能够有效优化数据存储设备中的存储方式和位置，提升数据处理效率。

数据碎片整理功能允许UFS设备的控制器绕过主机层，直接在NAND内部发出碎片整理命令，从而解决了手机由于数据碎片化造成的运行速度变慢的问题。通过简化数据重新定位，数据碎片整理可以将读取速度提高至60%，优化智能手机的整体性能，包括日常任务以及与AI相关的任务。

Pinned WriteBooster功能允许手机处理器从存储设备的指定区域“固定”经常使用的数据，以便更轻松地将重要数据从存储动态加载到内存，从而确保在不过载内存容量的情况下进行更高效的处理。据官方测试得出，启用此功能后，随机读取速度最多可提高30%。

ILT（智能延迟跟踪器）会监控系统和存储设备的I/O存储延迟，以检测和分析影响手机性能的异常延迟，例如应用程序启动缓慢。通过识别这些延迟问题，它可以帮助手机OEM厂商优化系统并改善整体用户体验。此功能可确保手机运行AI应用程序和日常任务（如打开相机或在图库中查找照片）时有较快的响应速度。

Zoned UFS的工作方式与我们对行李箱进行合理的分类摆放以便更快地找到需要的东西的操作类似，它将具有相似I/O特性的数据整理到UFS设备内的特定区域，通过最大限度地减少搜索数据所花费的时间，确保了更快、更流畅的系统性能。

来源：超能网