摘要：国家知识产权局信息显示，XO半导体有限公司申请一项名为“基于单光子雪崩二极管的图像传感器及其驱动方法”的专利，公开号CN119948885A，申请日期为2022年12月。

金融界2025年5月7日消息，国家知识产权局信息显示，XO半导体有限公司申请一项名为“基于单光子雪崩二极管的图像传感器及其驱动方法”的专利，公开号CN119948885A，申请日期为2022年12月。

专利摘要显示，根据本公开的一实施例，基于单光子雪崩二极管的图像传感器可以包括：单光子雪崩二极管（SPAD，Single Photon Avalanche Diode），生成与预定的曝光时间期间接收的多个光子中的各光子对应的多个脉冲；前端电路，接收多个脉冲中的在曝光时间内的部分时间期间接收的脉冲组；计数器，对脉冲组中的脉冲的个数进行计数；以及全局时钟，从部分时间之后开始向前端电路提供多个时钟脉冲；利用单光子雪崩二极管来获取的图像的画质可基于全局时钟的时序来确定。

来源：金融界