摘要：本项目拟在辽宁省沈阳市浑南区新建产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等，并引入先进的生产配套软硬件，打造规模化、智能化、数字化的高端半导体设备产业化基地。

（一）项目概况

1、项目基本情况

本项目拟在辽宁省沈阳市浑南区新建产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等，并引入先进的生产配套软硬件，打造规模化、智能化、数字化的高端半导体设备产业化基地。

本项目的实施将大幅提升公司高端半导体设备产能，支撑公司 PECVD、SACVD、HDPCVD 等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力，并通过智能化配套设施建设，提升生产效率，以充分满足下游市场及客户需求，扩大公司业务规模，从而进一步提升公司竞争能力和市场地位。

拓荆科技股份有限公司已取得本项目的土地使用权证、用地规划许可证和工程规划许可证，并签订总包施工合同，正在履行相关政府部门备案手续。公司根据实际需求，拟将项目投资总额由 110,000.00 万元增加至 176,830.11 万元，并计划将原拟由自筹资金投入的 83,173.40 万元（截至本报告公告日尚未投入）调整为由本次募集资金进行投入。

2、项目实施的必要性分析

（1）响应国家政策，推动高端半导体设备行业高质量发展

半导体设备产品具有技术复杂、投资金额大、研发周期长、参与门槛高的特点。国外龙头企业发展起步较早，其凭借多年的技术沉淀、产品线布局和品牌口碑积累，通过自主研发、并购等方式布局大量半导体设备细分市场，积累了较大的竞争优势。

目前我国应用于集成电路领域的高端半导体设备自给率较低。这一境况不仅严重制约了我国半导体产业的发展，更对我国信息产业安全造成了重大隐患。在全球贸易摩擦日趋激烈的背景下，中国高端半导体产业链的国产化提升需求迫在眉睫。

为了加速半导体先进设备制造能力的提升，国家出台了一系列鼓励类产业政策，旨在通过政策引导和市场机制的双重作用，推动半导体设备产业的高质量发展。

在此背景下，公司作为半导体专用设备领域的行业领军者，根据国家战略要求和国产化替代需求，依托自身的产品技术和人才基础，积极开展本高端半导体设备产业化基地建设项目，在行业内形成良好的正面示范效应，推动我国高端半导体设备行业高质量发展，有效增强我国半导体产业链的韧性。

（2）面向行业发展需求，提升公司可持续增长能力

在人工智能（AI）、高性能计算等新兴领域的需求带动下，晶圆厂持续进行资本开支，扩充产能，进而提升高端半导体设备的市场需求量。受益于全球半导体产业的快速发展及晶圆产能的持续扩张，半导体设备行业正处于快速发展的机遇期。

自成立以来，公司始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。目前，公司已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜设备产品系列，可为集成电路芯片制造产线提供高端的专用半导体设备。

近年来，受益于下游市场需求旺盛，凭借在半导体薄膜沉积设备领域强大的技术实力，公司业务规模呈现快速增长趋势，产能利用率处于较高水平。2022年、 2023年和 2024年，公司分别实现营业收入17.06亿元、27.05 亿元、41.03亿元，年复合增长率达到55.08%。

未来，随着市场需求的不断增长、芯片工艺的持续迭代与国产化率的不断提升，公司目前的产能预计无法满足未来客户的订单需求。因此，本项目将通过建设新产线的方式增加公司高端半导体设备的生产能力，缓解公司未来产能瓶颈，促进公司业务规模持续增长，最终实现公司可持续增长能力的有效提升。

（3）扩充高端半导体设备产能，增强公司核心竞争优势

薄膜沉积设备作为晶圆制造的三大核心设备之一，其发展受益于我国半导体产业高端前沿工艺技术的进步和进口替代的加速。面对这一行业发展趋势，公司紧跟市场步伐，不断加大研发投入，积极探索新技术、新工艺、新设备，多个新产品系列已完成样机研发，并出货客户开展工艺验证和应用开发。本项

目针对客户高端工艺需求进行扩产，并通过引入先进的生产配套设施，提升生产效率，打造规模化、智能化、数字化的高端半导体设备产业化基地，可以更好地满足市场对高性能薄膜沉积设备的迫切需求，从而在不断变化的市场环境中增强公司核心竞争优势。

3、项目实施的可行性分析

（1）广阔的市场空间为本项目产能释放提供了基础保障

近年来，受益于全球半导体产业的快速发展及晶圆产能的持续扩张，中国大陆的半导体设备行业正处于快速发展的机遇期。根据SEMI预测，全球300mm晶圆厂设备投资预计将在2025年增长20%至1,165亿美元，2026年将增长12%至1,305亿美元，在未来几年内将呈现大幅增长趋势；而中国大陆市场也将在2025年-2027年保持每年300亿美元以上的投资规模，继续引领全球晶圆厂设备支出。

据SEMI统计，作为半导体三大核心设备之一的薄膜沉积设备在半导体设备全球销售额中占比达到约22%，在晶圆产能持续扩张的大背景下，以薄膜沉积设备为代表的半导体设备产业将迎来新一轮的发展机遇与更广阔的市场空间。

此外，随着芯片制造工艺的迭代和芯片结构复杂度的提升，相较于成熟技术，先进技术晶圆制造产线对高端薄膜沉积设备的需求量持续增加。由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工序不同、性能指标不同，因此产生了巨大的薄膜沉积设备市场需求。

综上所述，广阔的市场空间为本项目产能释放提供了基础保障。

（2）成熟的规模化生产经验为本项目顺利建设提供了实施保障

作为国内较早布局集成电路领域薄膜沉积设备的厂商，公司在技术工艺创新、产品开发和规模生产等方面具有显著优势。在技术工艺创新方面，公司以PECVD系列产品为依托，不断推进工艺迭代升级，拓宽其在薄膜工艺领域的应用范围，提升薄膜均匀性、颗粒度控制等指标，精准满足客户对高端薄膜材料日益严苛的性能要求。同时，公司不断丰富产品种类，实现了对ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等高端薄膜沉积设备的研发和量产，能够覆盖100余种高端工艺应用。

在技术工艺不断创新和产品矩阵持续完善的过程中，公司积累了丰富的规模化生产经验，对设备选型、工艺优化、生产流程控制等关键环节均有深刻的理解，并建立了一套成熟的管理体系，实现了生产过程、质量状态、资源情况的实时监控与透明化管理，可实现生产效率和生产质量的有效提升。基于对生产环节的成熟经验和精准把控，公司不仅能够满足客户对产品的高性能要求，还能及时响应其对大规模产能的迫切需求。

综上所述，成熟的规模化生产经验为本项目顺利建设提供了实施保障。

（3）丰富的客户资源和卓越的服务能力为本项目提供重要保障

目前，公司已与国内主流晶圆厂形成了较为稳定的合作关系，并积极拓展海外市场。公司设备客户端产线生产运行稳定性表现优异，在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大，产品已进入超过70条生产线。针对客户提出的特定工艺材料和制造工序，公司具备快速响应半导体设备性能需求的能力，能够及时满足客户的定制化设备需求。

凭借着公司优越的技术能力以成熟的服务能力，公司赢得了客户的广泛认可。良好的客户关系有助于公司加快实现新增产品的验证与销售。

综上所述，公司丰富的客户资源和卓越的服务能力为本项目的实施提供了重要保障。

4、项目实施主体与投资概算

本项目实施主体为拓荆科技及拓荆创益，拟投资总额 176,830.11 万元， 工程建设费用 161,648.08 万元，基本预备费 3,232.97 万元， 铺底流动资金 11,949.06 万元。

5、项目预计实施时间和整体进度安排

本项目建设期为 5 年，项目开展将按照土地购置、工程建设、软硬件购置、生产线试运行及产线投产等进度来安排。

6、项目用地、涉及的审批、备案事项

本项目实施地点位于辽宁省沈阳市浑南区，建设用地为公司新取得使用权的土地，公司已取得编号为辽（2024）沈阳市不动产权第 0293529 号及辽（2024）沈阳市不动产权第 0293532 号的不动产权证书。截至本报告公告日，公司投资项目备案、环评等程序正在办理过程中。

（二）项目实施的背景

1、国家政策的大力支持为高端半导体设备行业提供了良好的外部环境

集成电路行业是支撑经济发展、社会进步、国防安全的重要力量，而高端半导体设备是驱动这一产业发展的基石。在数字经济成为经济发展新动力、半导体芯片技术持续迭代，并逐步向精密化、微小化发展的趋势下，高端半导体设备的重要地位日益凸显。

近年来，国家出台一系列鼓励扶持政策，为高端半导体设备行业的高质量发展提供了有力支持。相关政策具体内容列示如下：

2024年9月 工信部《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》在集成电路生产装备领域，将化学气相沉积装备等产品列入目录。

2023年8月工信部财政部《关于印发电子信息制造业2023—2024年稳增长行动方案的通知》面向数字经济等发展需求，优化集成电路、新型显示等产业布局并提升高端供给水平，增强材料、设备及零配件等配套能力。

2022年1月 国务院《“十四五”数字经济发展规划》着力提升“基础软硬件、核心电子元器件、关键基础材料和生产装备的供给水平，强 化 关 键产品自给保障能力”。

2021年3月 全国人大《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035 年远景目 标纲要》培育先进制造业集群，推动集成电路、航空航天、船舶与海洋工程装备、机器人、先进轨道交通装备、先进电力装备、工程机械、高端数控机床、医药及医疗设备等产业创新发展。

2020年7月 国务院《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发 展 若 干 政 策 的 通知》在财税、投融资、研究开发等多方面全面支持半导体产业。

公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司以“建立世界领先的高端半导体设备公司”为愿景，始终坚持自主研发，通过在薄膜沉积设备这一半导体核心设备细分领域的技术积累和快速发展，成为了国内半导体设备行业的领军企业。国家政策的持续出台充分彰显了公司所属行业在国民经济中的关键地位，也为高端半导体设备行业提供了良好的外部环境。

2、下游需求的不断增长为高端半导体设备行业提供了良好的发展机遇和广阔的市场空间

伴随着数字化、自动化、智能化趋势的不断深化，在人工智能（AI）、高性能计算、新能源汽车等新兴领域的需求带动下，晶圆厂将持续进行资本开支，扩充产能，进而提升高端半导体设备的市场需求量。受益于全球半导体产业的快速发展及晶圆产能的持续扩张，半导体设备行业正处于快速发展的机遇期。

在经济发展与行业发展的双轮驱动下，集成电路行业发展迅猛，为上游的高端半导体设备行业创造了巨大的市场空间。

根据SEMI统计，2024年全球半导体设备销售额为1,171亿美元，其中晶圆制造设备销售额占比约90%，达到约1,042亿美元。薄膜沉积设备作为集成电路前道生产工艺中的三大核心设备之一，其全球销售额约占晶圆制造设备销售额的22%，由此推算，2024年全球薄膜沉积设备市场规模约为230亿美元。结合中国大陆半导体制造设备销售额占全球半导体制造设备销售额约42%的比例测算，2024年中国大陆薄膜沉积设备市场规模约为97亿美元。

根据SEMI最新预测，2025年全球半导体设备销售额将达到1,255亿美元，2026年预计将创下1,381亿美元的新高；此外，从资本开支的角度，受益于半导体晶圆厂的本土化以及数据中心和端侧设备对人工智能芯片日益增长的需求，2025年至2027年，全球300mm晶圆厂设备支出预计将达到创纪录的4,000亿美元。

其中，中国大陆将保持其作为全球300mm晶圆厂设备支出第一的地位，未来三年将投资超过1,000亿美元，继续引领全球晶圆厂设备支出。晶圆产能的持续扩张为高端半导体设备产业提供了良好的发展机遇和广阔的市场空间。

3、芯片工艺的持续迭代提升了高端薄膜沉积设备的需求量与技术要求

（1）产线对高端薄膜沉积设备的需求量因技术进步而大幅增加

随着芯片制造工艺的迭代和芯片结构复杂度的提升，相较于成熟技术，先进技术晶圆制造产线对高端薄膜沉积设备的需求量持续增加。例如，与90nm制程的CMOS芯片工艺需要约40道薄膜沉积工序相比，3nm制程的FinFET工艺产线大约需要超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种；在FLASH存储芯片领域，随着3D结构的主流化，3D NAND FLASH芯片的堆叠层数不断增高，薄膜沉积工序数量也随之大幅增加；此外，多重曝光技术是实现先进工艺的有效手段之一，而该技术需要将薄膜沉积设备与其他设备相结合，薄膜沉积设备的重要性及需求量将由此得到进一步提升。

（2）芯片制造厂对高端薄膜沉积设备的技术要求因需求多样而大幅提升

在晶圆制造过程中，薄膜起到产生导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、临时阻挡刻蚀等重要作用。随着晶圆制造工艺精密度、芯片结构复杂度、下游应用多样度的不断提升，先进晶圆制造厂商往往会对薄膜厚度、均匀性、颗粒度等性能指标提出更为严苛的技术要求。不同先进芯片结构所需要的不同薄膜材料种类、沉积工序也催生了大量的前沿技术薄膜沉积设备需求。

综上所述，芯片工艺的持续迭代大幅提升了下游客户对高端薄膜沉积设备的需求量与技术要求。

4、高端薄膜沉积设备自给率仍较低，市场国产化空间巨大

半导体设备产品具有技术复杂、投资金额大、研发周期长、参与门槛高的特点。国外龙头企业发展起步较早，其凭借多年的技术沉淀、产品线布局和品牌口碑积累，通过自主研发、并购等方式布局大量半导体设备细分市场，积累了较大的竞争优势。

目前我国高端半导体设备仍然主要依赖进口，自给率较低。这一境况不仅严重制约了我国半导体产业的发展，更对我国信息产业安全造成了重大隐患。在全球贸易摩擦日趋激烈的背景下，中国高端半导体产业链的国产化提升需求迫在眉睫，以公司为代表的能够在未来实现持续技术突破的高端半导体设备厂商将收获巨大的成长空间与发展机遇。

（三）项目实施的目的

1、扩大高端半导体设备产能，抓住行业高速发展机遇

自成立以来，公司始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。公司核心技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键问题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，可帮助客户提升生产效率、降低生产成本。目前，公司已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜设备产品系列，可为集成电路芯片制造产线提供高端的专用半导体设备。

近年来，受益于下游市场需求旺盛，凭借在半导体薄膜沉积设备领域强大的技术实力，公司业务规模呈现快速增长趋势，产能利用率处于较高水平。为了应对未来市场需求不断增长、芯片工艺持续迭代所带来的高端半导体设备需求的增加，公司将通过本次募集资金投资项目扩大高端半导体设备产能，抓住行业高速发展机遇。

2、战略布局前沿技术，提升创新能力，强化产品优势

在高端半导体设备中，薄膜沉积设备与光刻设备、刻蚀设备共同构成了芯片制造的三大核心设备，决定了芯片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。

面向国内半导体制造产业的实际需求和产线技术演进节奏，公司将通过本次募集资金投资项目战略布局薄膜沉积设备领域的前沿核心技术，开发可适用于前沿技术领域的新产品、新工艺，并将基于公司技术积累，对薄膜沉积设备进行进一步创新，提升产品工艺覆盖面与智能化水平，优化公司产品的各项性能指标，强化公司在薄膜沉积设备领域的产品优势，以更好地满足客户在技术节点更新迭代的过程中对先进薄膜性能指标的迫切需求。

3、增强资金实力，充分利用资本市场优势，促进公司业务稳步发展

公司所处的半导体设备行业具有显著的资本密集特征。一方面，随着业务的高速发展，公司技术研发、原材料采购、薪酬支出、生产运营及市场推广等日常经营需要大量、持续的资金投入；另一方面，鉴于薄膜的技术参数直接影响芯片性能，薄膜沉积设备在客户端的验证周期较长，公司需在前期生产中垫付大量资金。因此，维持一定规模的营运资金有利于公司各项业务的持续、健康发展。

来源：思瀚研究院