EBR与WEE去边胶的区别？

360影视 2024-12-24 22:14 2

摘要：WEE，全称：wafer edge exposure。在晶圆匀胶后，晶圆边缘的光刻胶会比中间区域的更厚，在后续的工序中会脱落造成污染，因此需要除去。而EBR，WEE,都是去除光刻工艺中晶圆边缘光刻胶的方法。

在上期的直播中，有观众问：EBR与WEE去边胶的原理有什么不同？今天我们专门来解答一下。什么是EBR与WEE？

EBR，全称：Edge Bead Removal。
WEE，全称：wafer edge exposure。在晶圆匀胶后，晶圆边缘的光刻胶会比中间区域的更厚，在后续的工序中会脱落造成污染，因此需要除去。而EBR，WEE,都是去除光刻工艺中晶圆边缘光刻胶的方法。EBR与WEE的工艺原理？

EBR,是在晶圆旋涂光刻胶之后立即去掉，专门的EBR喷嘴对晶圆边缘喷射去胶溶剂，如PGMEA等，喷嘴一般以一定的倾斜角度向外喷洒溶剂。晶圆在旋转的过程中，离心力会将溶解的光刻胶和溶剂一起甩出。WEE，是在匀胶，软烘后，用光纤将光线引导到晶圆边缘区域，光纤的输出端经过透镜聚焦，将光线精准聚焦到晶圆的边缘区域。晶圆是旋转的，那么整个晶圆边缘都能被均匀地照射到。在后面显影的工序中可以除去。

EBR与WEE各自优缺点？WEE的去边胶的精度高，但是WEE对抗反射层没有作用，因为抗反射层无法感光。而EBR则可以将光刻胶与抗反射层都能除去，但是EBR的溶液容易飞溅，如果操作不当，会飞溅到晶圆中间部位，造成工艺问题。

来源：晴晴想吃辣条

标签：反射层 ebr wee

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