芯片，最新路线图
众所周知，作为全球半导体工艺研发的核心枢纽，IMEC依托顶尖科研团队、先进基础设施，以及产学研协同创新的独特模式，长期引领行业技术发展，在半导体领域的权威性与前瞻性备受业界认可。
finfet
22nm Gate Last FinFET Process Flow介绍
首先是P型衬底上面有一层外延生长的Si，厚度大概1um，然后再生长一层Screen Oxide。
为什么 3 nm 是道坎？
随着小米推出 3 nm 芯片，3 nm 工艺节点也再次成为讨论的焦点。随着芯片尺寸继续微缩，如今最前沿的先进制程工艺玩家已仅剩下三星、台积电和英特尔，而 3 nm正卡在 FinFET 工艺的极限上，三家采用了不同的技术方向，为什么会这样呢？
关于苹果全玻璃iPhone的更多细节浮出水面 - GSMArena.com 新闻
苹果公司计划在2027年庆祝iPhone的20周年，讨论关于iPhone 19 Pro的重大改版。预计该型号将采用“广泛的玻璃”材料和无显示切口的曲面设计，标志着自2017年iPhone X以来的最大设计变革。苹果正与三星显示和LG显示谈判，获取下一代“无边框
辰至半导体C1芯片成功点亮：多核异构架构，16nm FinFET工艺和低功耗设计
4月18日，辰至半导体（全称：北京市辰至半导体科技有限公司）在广州举办“辰至半导体C1点亮仪式暨智能网联生态交流会”，会上辰至半导体正式宣布首款产品“C1系列”芯片已完成研发并成功点亮。大会特邀广州市工信局、广州市海珠区相关领导，以及广汽、广州工控、吉利、小鹏
辰至半导体C1芯片成功点亮：多核异构架构，16nm FinFET工艺
4月18日，辰至半导体（全称：北京市辰至半导体科技有限公司）在广州举办“辰至半导体C1点亮仪式暨智能网联生态交流会”，会上辰至半导体正式宣布首款产品“C1系列”芯片已完成研发并成功点亮。大会特邀广州市工信局、广州市海珠区相关领导，以及广汽、广州工控、吉利、小鹏
模拟版图进阶冲刺营：14天攻克12nm FinFET工艺！企业级项目实战+导师直播带练！
当国内70%的IC企业聚焦Finfet工艺时，你的技术储备却还停留在28nm平面工艺？某头部企业HR透露：掌握FinFET工艺的工程师薪资溢价达35%！近两年来，不少芯片企业的项目招标明确要求需要具备12nm及以上工艺项目经验！华为、TI、艾为等芯片行业大厂也
finfet finfet工艺 12nmfinfet 12n 2025-04-05 11:31 9
简化版的FinFET工艺流程
FinFET于2011年由英特尔首次引入IC行业并实现生产。到目前为止，它仍然是高级过程节点的主流。简化的HKMG体FinFET工艺流程如下：
dpr 工艺流程 finfet nsd finfet工艺流程 2025-03-21 00:29 10
恩智浦首推16nm FinFET MRAM车规MCU，2025Q3出样引领汽车科技新潮流
恩智浦半导体公司近期揭晓了其最新的汽车微控制器（MCU）系列——S32K5，这一创新产品标志着汽车技术领域的又一重要进展。S32K5系列MCU采用了独特的多核设计，融合了Arm Cortex M7、R52及M4核心，主频高达800MHz，并配备了前所未有的41
mcu 恩智浦 finfet mram finfetmram 2025-03-14 08:51 16
恩智浦发布全球首款16nm FinFET MRAM车规级MCU，三季度开始出样
恩智浦半导体公司本周二发布了全新的 S32K5 系列汽车微控制器（MCU），采用 Arm Cortex M7+R52+M4 多核设计，最高 800MHz，同时配备了 41MB 的 MRAM（IT之家注：即嵌入式磁性随机存储器）。
日本2nm将量产？恐难如愿！
尽管已有愈来愈多媒体探讨Rapidus会不会成功，不过，笔者认为，这件事有需要更深入的探究与说明，厘清某些疑惑之处，以对Rapidus的未来可能发展有更多理解。
FinFET是什么？和MOSFET相比，它究竟强在哪？
半导体行业是一个非常动态的行业，因为它会不时地发生变化。根据摩尔定律，芯片中晶体管的数量每 18 个月或 2 年就会翻一番。因此，芯片和电子设备的尺寸变得越来越小。半导体行业中鳍式场效应晶体管（FinFET）技术的引入发挥了关键作用。
三维集成电路技术发展与集成挑战
半导体行业通过创新的晶体管架构和三维集成方法，持续推进器件缩放和集成密度的提升。本文探讨晶体管技术的关键发展、互连线路演进，以及向三维集成电路(3DIC)的转变，同时分析热管理、机械应力和系统级优化等关键挑战。
技术前沿：老美要禁的GAA是什么？
随着器件按比例缩小，寄生电阻和电容又将成为一个新问题。CPP（Contacted Poly Pitch）决定标准cell宽度（见图 1），它是由 Lg、接触宽度 (Contact Width ：Wc) 和垫片厚度 ( Spacer Thickness：Tsp)
电晶体世代交替由FinFET到GAAFET
为了更直观地了解FinFET到GAAFET架构世代的差异，本文利用高倍率的电子显微镜影像进行深入的探讨与分析，观察其于结构微观层面上的特徵...电晶体自1947年在贝尔实验室诞生以来，标志着人类电子工程技术的新时代。电晶体进入量产阶段后，随着技术的不断进步，其
FinFET工艺中几个关键良率杀手
M0 Landing: M0蚀刻不够会导致Open, 蚀刻多了会导致EPI Damage, CD小了会degrade DC 性能，CD 大了会degrade AC性能且降低M0-GT Short的工艺窗口。
台媒主席评价大陆芯片：在先进芯片方面，台湾至少领先大陆十年
台湾国家科学委员会（Taiwanese National Science Council）主席吴成温，在台湾立法机构的简报会上表示，在半导体制造方面，中国大陆的企业可能落后于中国台湾的台积电十年。