简化版的FinFET工艺流程
FinFET于2011年由英特尔首次引入IC行业并实现生产。到目前为止，它仍然是高级过程节点的主流。简化的HKMG体FinFET工艺流程如下：
dpr 工艺流程 finfet nsd finfet工艺流程 2025-03-21 00:29 5
finfet
恩智浦首推16nm FinFET MRAM车规MCU，2025Q3出样引领汽车科技新潮流
恩智浦半导体公司近期揭晓了其最新的汽车微控制器（MCU）系列——S32K5，这一创新产品标志着汽车技术领域的又一重要进展。S32K5系列MCU采用了独特的多核设计，融合了Arm Cortex M7、R52及M4核心，主频高达800MHz，并配备了前所未有的41
mcu 恩智浦 finfet mram finfetmram 2025-03-14 08:51 8
恩智浦发布全球首款16nm FinFET MRAM车规级MCU，三季度开始出样
恩智浦半导体公司本周二发布了全新的 S32K5 系列汽车微控制器（MCU），采用 Arm Cortex M7+R52+M4 多核设计，最高 800MHz，同时配备了 41MB 的 MRAM（IT之家注：即嵌入式磁性随机存储器）。
日本2nm将量产？恐难如愿！
尽管已有愈来愈多媒体探讨Rapidus会不会成功，不过，笔者认为，这件事有需要更深入的探究与说明，厘清某些疑惑之处，以对Rapidus的未来可能发展有更多理解。
FinFET是什么？和MOSFET相比，它究竟强在哪？
半导体行业是一个非常动态的行业，因为它会不时地发生变化。根据摩尔定律，芯片中晶体管的数量每 18 个月或 2 年就会翻一番。因此，芯片和电子设备的尺寸变得越来越小。半导体行业中鳍式场效应晶体管（FinFET）技术的引入发挥了关键作用。
三维集成电路技术发展与集成挑战
半导体行业通过创新的晶体管架构和三维集成方法，持续推进器件缩放和集成密度的提升。本文探讨晶体管技术的关键发展、互连线路演进，以及向三维集成电路(3DIC)的转变，同时分析热管理、机械应力和系统级优化等关键挑战。
技术前沿：老美要禁的GAA是什么？
随着器件按比例缩小，寄生电阻和电容又将成为一个新问题。CPP（Contacted Poly Pitch）决定标准cell宽度（见图 1），它是由 Lg、接触宽度 (Contact Width ：Wc) 和垫片厚度 ( Spacer Thickness：Tsp)
电晶体世代交替由FinFET到GAAFET
为了更直观地了解FinFET到GAAFET架构世代的差异，本文利用高倍率的电子显微镜影像进行深入的探讨与分析，观察其于结构微观层面上的特徵...电晶体自1947年在贝尔实验室诞生以来，标志着人类电子工程技术的新时代。电晶体进入量产阶段后，随着技术的不断进步，其
FinFET工艺中几个关键良率杀手
M0 Landing: M0蚀刻不够会导致Open, 蚀刻多了会导致EPI Damage, CD小了会degrade DC 性能，CD 大了会degrade AC性能且降低M0-GT Short的工艺窗口。
台媒主席评价大陆芯片：在先进芯片方面，台湾至少领先大陆十年
台湾国家科学委员会（Taiwanese National Science Council）主席吴成温，在台湾立法机构的简报会上表示，在半导体制造方面，中国大陆的企业可能落后于中国台湾的台积电十年。