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颠覆DRAM路线图

动态随机存取存储器 (DRAM)是传统计算架构中的主存储器,其位单元在概念上非常简单。它由一个电容器 (1C) 和一个硅基晶体管 (1T)组成。电容器的作用是存储电荷,而晶体管则用于访问电容器,以读取存储的电荷量或存储新电荷。

dram 路线图 imec igzo dram路线图 2025-03-26 09:34  3

EUV光刻,有变!

EUV技术自从其提出以来,面临着多重挑战,包括高成本、复杂的光学系统以及需要在高精度下制造光罩等。然而,随着技术不断成熟,EUV逐渐突破了制程限制,尤其在10nm及以下的制程中展现出了其不可替代的优势。

光刻 美光 euv euv光刻 imec 2025-03-10 10:03  5

泛林公布干式光刻胶进展

泛林集团 Lam Research 美国加州当地时间本月 14 日宣布,其干式光刻胶技术成功通过 imec 认证,可直接在逻辑半导体后道工艺(IT之家注:BEOL,互联层制作)中实现 28nm 间距的直接图案化,能满足 2nm 及以下先进制程的需求。

光刻 光刻胶 imec 2025-01-26 16:17  9

欧盟五条芯片试产线启动!

欧洲四大顶尖研究机构负责人与欧盟委员会副主席会面,启动首批五条欧盟芯片法案试点生产线。包括比利时imec、法国CEA - Leti等相关机构参与。这些试验生产线旨在弥合研究创新与制造的差距,加强CMOS半导体生态系统 。

芯片 欧盟 imec 2025-01-22 03:39  7

IMEC,加码MRAM

种子轮融资由 imec.xpand 领投,并得到 Eurazeo、XAnge、Vector Gestion 和 imec 的支持,该公司由首席执行官 Sylvain Dubois(前谷歌员工)和首席技术官 Sebastien Couet(前 imec 员工)创

imec mram 工研院 2025-01-15 17:29  7

IMEC更新 | 背面供电网络革新芯片设计

随着半导体技术不断进步,传统的集成电路供电方法正面临重大挑战。现代芯片日益增加的复杂性和密度已经推动正面供电网络达到极限,促使研究人员和制造商探索创新解决方案。背面供电网络(BSPDN)就是受到广泛关注的方案。本文将探讨BSPDN的概念、优势、关键技术以及在2

网络 芯片 imec 2025-01-14 21:35  8

TSV,何去何从?

硅通孔 (TSV) 可缩短互连长度,从而降低芯片功耗和延迟,以更快地将信号从一个设备传输到另一个设备或在一个设备内传输。先进的封装技术可在更薄、更小的模块中实现所有这些功能,适用于移动、AR/VR、生物医学和可穿戴设备市场。

tsv ald imec 2025-01-07 21:47  9

硅通孔的下一步发展

硅通孔 (TSV) 可缩短互连长度,从而降低芯片功耗和延迟,以更快地将信号从一个设备传输到另一个设备或在一个设备内传输。先进的封装技术可在更薄、更小的模块中实现所有这些功能,适用于移动、AR/VR、生物医学和可穿戴设备市场。

tsv 硅通孔 imec 2025-01-07 19:16  9

车企自研芯片,稳了!

一直以来,从特斯拉开始,到国内新势力(蔚来、小鹏、理想)布局算力芯片的自主研发,都是备受关注和争议。尤其是围绕成本和投资回报、自主可控以及软硬协同的讨论,从来没有停止。

芯片 synopsys imec 2025-01-03 09:36  9

0.7nm工艺,最新分享

近二十年来,人们已经清楚地认识到,受摩尔定律启发的纯尺寸缩放不再是预测 CMOS 技术节点演进的唯一指标。第一个迹象出现在 2005 年左右,当时固定功率下的节点到节点性能改进(称为 Dennard 缩放)开始放缓。逐渐地,半导体行业开始用其他技术创新来补充以

工艺 imec mx2 2024-12-25 09:48  8

替代SRAM,新选择!

几十年来,超快且易失性的SRAM一直被用作高性能计算架构中的嵌入式缓存,它位于多级(L1、L2、L3……)分层系统中非常靠近处理器的位置。它的作用是存储常用数据和指令以便快速检索,其中 L1 是所有缓存中最快的。SRAM 位密度扩展速度已经放缓一段时间了,位单

sram imec saf 2024-12-21 16:25  10