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狼速失速，中国碳化硅巨头逆周期扩产抢占全球制高点

在半导体产业风云变幻的2025年，全球碳化硅（SiC）巨头Wolfspeed的破产危机如同一记重锤，彻底击碎了美国在第三代半导体领域的霸权幻想。这家曾占据全球超50%市场份额的行业霸主，如今因债务危机濒临清盘，其留下的30%市场份额正成为中国企业改写全球半导体

铱因其极高的熔点和化学稳定性，在多种耐高温、高强度场合中有重要应用，尤其集中在放电部件、熔炼设备、高温合金等工业制品中。尽管铱用量不大，但应用非常集中，便于在特定设备中精准回收。

为了解决这些问题，北卡罗来纳大学教堂山分校黄劲松团队在Nature Synthesis期刊上发表了题为“Self-regulated facet stability during solution growth of perovskite crystals”的

乌特勒支大学是荷兰最古老、规模最大的大学，同时也是欧洲最好的研究型大学之一。2005 年，乌特勒支大学理学院正式创立，同年，学院化学系的研究团队在《科学》（Science）期刊上发表了一篇重要论文，首次阐明了杂质对晶体生长机制的关键作用，助力材料科学实践转化的

基本定义表面能（Surface Energy, γ）是描述晶体表面稳定性的重要物理量，其定义为将晶体沿特定晶面分裂并形成单位面积表面所需的能量。计算公式为：

结晶是物理科学和工业工程的基础过程。结晶通过成核和生长两个过程进行，生长前沿的粗糙度和方向性对晶体的生长速率有重要影响。外来颗粒在结晶过程中扮演着重要角色，它们可以加速或减缓结晶，甚至影响晶体形态的稳定性。在低浓度下，外来颗粒主要作为孤立的缺陷存在，但当浓度较

近年来，高功率和高频应用器件对高质量 4H-SiC晶体的需求日益增长。虽然 PVT 是一种成功生长4H-SiC 晶体的方法，但固有的缺陷（如微管、螺位错/混合位错 (TSDs/TMDs)、刃位错 (TEDs) 和基面位错 (BPDs)）会严重影响器件性能。以前

项目特征：有明确对外投资意向，有投资建厂从事生产制造需求或者创业团队具有较高技术水平。

精选 sic 晶体生长 2024-12-26 10:17 17