破键合技术困局,青禾晶元引领国产半导体高端装备崛起
随着半导体工艺逼近物理极限,摩尔定律的“失效”已成行业共识。台积电(TSMC)和三星的3nm/2nm节点虽持续推进,但晶体管微缩带来的性能提升边际效应显著减弱,同时研发和制造成本飙升。据IEEE统计,5nm芯片的设计成本已超5.4亿美元,3nm工艺流片费用较7
随着半导体工艺逼近物理极限,摩尔定律的“失效”已成行业共识。台积电(TSMC)和三星的3nm/2nm节点虽持续推进,但晶体管微缩带来的性能提升边际效应显著减弱,同时研发和制造成本飙升。据IEEE统计,5nm芯片的设计成本已超5.4亿美元,3nm工艺流片费用较7
在半导体行业面临"后摩尔时代"发展瓶颈的当下,键合集成技术正以颠覆性创新姿态,推动着全球半导体产业格局的深刻变革。这项技术不仅打破了传统平面缩放的物理极限,更通过异质材料融合与三维集成创新,开辟出全新的半导体技术赛道。
半导体行业的竞争越来越激烈,关键技术的突破往往能决定一个国家在全球市场的地位。近几日,青禾晶元推出的SAB 82CWW系列混合键合设备,打破了国外企业的垄断,成为了国产半导体产业的“黑马”。想知道这款设备如何改变行业格局,助力国产半导体崛起?
3月11日,高新区企业青禾晶元集团(以下简称“青禾晶元”)在香港举办新品发布会,全球首台独立研发C2W&W2W双模式混合键合设备SAB 82CWW系列震撼亮相!发布会汇聚半导体行业顶尖专家、学者及媒体,共同见证这一颠覆性技术的诞生。表面活化键合技术之父,混合键
青禾晶元公司近期宣布了一项重大技术创新,成功推出了SAB 82CWW系列混合键合设备,该设备是全球首台集C2W(芯片对晶圆)与W2W(晶圆对晶圆)双模式于一体的设备。
随着半导体工艺逼近2纳米物理极限,传统制程微缩面临诸多挑战。在此背景下,先进封装技术成为延续摩尔定律、实现“超越摩尔”的核心路径,而混合键合(Hybrid Bonding)凭借高密度互连与低功耗特性,被视为下一代封装技术的制高点。值得注意的是,全球高端键合设备
青禾晶元昨日宣布推出由其独立研发的全球首台 C2W(Chip to Wafer,芯片对晶圆)与 W2W(Wafer to Wafer,晶圆对晶圆)双模式混合键合设备 SAB 82CWW。
随着全球半导体晶圆厂持续扩产建能,上游半导体设备厂商迎来了广阔的市场空间,国内厂商也不例外。由于国际形势变化以及国内部分半导体市场需求强劲,国内半导体设备厂商正积极抓住机遇,加大力度布局技术与市场。近期,北方华创、中微公司、青禾晶元三家设备厂商迎来新动态。
随着半导体工艺逼近2纳米物理极限,传统制程微缩面临诸多挑战。在此背景下,先进封装技术成为延续摩尔定律、实现“超越摩尔”的核心路径,而混合键合(Hybrid Bonding)凭借高密度互连与低功耗特性,被视为下一代封装技术的制高点。值得注意的是,全球高端键合设备
3月11日,天津高新区企业青禾晶元在香港举办新品发布会,全球首台独立研发C2W&W2W双模式混合键合设备SAB 82CWW系列震撼亮相,发布会汇聚半导体行业顶尖专家、学者及媒体,共同见证这一颠覆性技术的诞生。青禾晶元作为先进封装领域的核心参与者与推动者,以创新
近日,中国半导体键合集成技术领域的领先企业青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公司(简称“青禾晶元”)宣布,正式推出全球首台C2W&W2W双模式混合键合设备SAB8210CWW。作为先进半导体键合集成技术与解决方案的提供商,青禾晶元此次发布标志着公司在技术创新领
在快速发展的半导体行业中,近年来,一方面人工智能等领域日新月异地迅猛发展对芯片算力和性能提出了越来越高的要求,另一方面,随着摩尔定律的放缓,技术更新迭代速度难以满足现实需要,传统芯片制造模式面临瓶颈,这迫使人们寻求性价比更高的技术路线来满足产业界日益增长的对芯
香港科技大学(港科大)工学院成功研发一款全球首创的深紫外microLED显示阵列晶元,此高光效晶元可配合无掩模紫外光光刻技术,提升其光输出功率密度准确性,并以较低成本及更速效的方法推动半导体晶片生产的技术发展。
12月31日,香港科技大学宣布,学校工学院成功研发一款全球首创的深紫外Micro LED显示阵列晶圆,此高光效晶元可配合无掩模紫外光光刻技术,提升其光输出功率密度准确性,并以较低成本及更速效的方法推动半导体晶片生产的技术发展。