美光HBM,为时未晚
本周,美光 发布了其 HBM4 和 HBM4E 计划的最新进展 。下一代 HBM4 内存具有 2048 位接口,有望在 2026 年实现量产,HBM4E 将在随后几年推出。除了提供比 HBM4 更高的数据传输速率外,HBM4E 还将引入定制其基础芯片的选项,标
本周,美光 发布了其 HBM4 和 HBM4E 计划的最新进展 。下一代 HBM4 内存具有 2048 位接口,有望在 2026 年实现量产,HBM4E 将在随后几年推出。除了提供比 HBM4 更高的数据传输速率外,HBM4E 还将引入定制其基础芯片的选项,标
SK海力士目前将M11、M12、M15工厂所在的清州作为NAND闪存生产基地,将M14、M16工厂所在的利川作为DRAM生产基地。
提供C16IC3/60t不锈钢数字传感器,作为德国HBM汽车衡称重领域的杰出之作,以其卓越的性能和精湛的工艺,赢得了全球范围内客户的广泛赞誉。这款传感器采用了高品质的不锈钢材质,不仅具有出色的耐腐蚀性和抗磨损性能,更能在各种恶劣环境下保持其精准度和稳定性,确保
报道指出,这家韩国芯片制造商原计划在5纳米节点上为客户定制第六代高带宽工厂(HBM4)。它正与代工领导者台积电(TSMC)合作开发HBM4。但最近,应主要客户对更先进工厂的要求,SK海力士已转向3 纳米工艺生产 HBM4,预计将于2025 年下半年向 Nvid
提供Z6FD1/50KG,这款被誉为工业测量领域璀璨明珠的德国HBM称重传感器,以其卓越的性能、精湛的工艺以及无与伦比的稳定性,在全球范围内赢得了广泛的赞誉与应用。作为HBM家族的杰出代表,Z6FD1/50KG传感器不仅承载着德国工业4.0的精髓,更是精准测量
自ChatGPT推出后,国内外各科技大厂,均展开了对AI大模型的角逐。而AI大模型的发展,离不开以巨量的数据与算力作为支撑,进行训练与推导过程。
美国将于当地时间周一对中国半导体行业发起近三年来的第三次打击,将对中国半导体设备制造商北方华创、拓荆科技、新凯莱等140家公司进行出口管制。
1-KAB139A-6电缆是由德国HBM公司生产的一款专业用于连接HBM传感器的电缆。这款电缆特别适用于连接高精度测量设备,如T5扭矩传感器,确保测量数据的准确性和可靠性。
当地时间12月2日,美国《联邦公报》网站公布了由美国商务部工业和安全局(BIS)修订的新的《出口管制条例》(EAR),在正式将140家中国半导体相关企业列入了实体清单的同时,还公布了对于高带宽内存(HBM)的出口管制规则。
这次新规主要有两份文件,第一份是152页的临时最终规则(IFR,Interim final rule),BIS对出口管理条例(EAR)的某些管控进行了调整,涉及先进计算物、超级计算机以及半导体制造设备。
随着先进AI加速器、图形处理单元及高性能计算应用的蓬勃发展,所需处理的数据量正以前所未有的速度激增,这一趋势直接推动了高带宽内存(HBM)销量的急剧攀升。
据悉,美国商务部BIS将于本周四(11月28日)“感恩节假期前”公布限制中国科技发展的新出口管制措施,预计将有约200家中国芯片公司纳入贸易限制名单,无法获取美国公司的产品。
据悉,美国商务部BIS将于本周四(11月28日)“感恩节假期前”公布限制中国科技发展的新出口管制措施,预计将有约200家中国芯片公司纳入贸易限制名单,无法获取美国公司的产品。
高带宽存储器(HBM)的销量正在飙升,这是因为需要由最先进的人工智能(AI)加速器、图形处理单元(GPU)和高性能计算(HPC)应用快速处理的数据量持续爆炸式增长。
受开发和改进大型语言模型(如ChatGPT)的巨大努力和投资推动,HBM库存已售罄。HBM是存储创建这些模型所需大部分数据的首选内存,而通过增加更多层来提高密度以及SRAM扩展的局限性,正在为这一热潮火上浇油。
英特尔是第一家在 CPU 封装中添加 HBM 堆叠 DRAM 内存的主要 CPU 制造商,其推出的处理器是“Sapphire Rapids”Max 系列 Xeon SP 处理器。但随着“Granite Rapids”Xeon 6 的推出,英特尔放弃了使用 HB
存储器占半导体行业规模的25%以上。半导体行业分为集成电路、光电器件、分立器件、传感器等子行业,根据功能的不同, 集成电路又可以分为逻辑电路、存储器、模拟电路、微处理器等细分领域。根据世界半导体贸易统计(WSTS)对世界半导 体贸易规模的最新报告预测,2024
WE2107称重仪表是德国HBM公司的产品,具有多种特性和功能,在工业称重领域应用广泛。