跨越摩尔定律，新思科技掩膜方案凭何改写3nm以下芯片游戏规则
电子发烧友网报道（文/黄山明）在半导体行业迈向3nm及以下节点的今天，光刻工艺的精度与效率已成为决定芯片性能与成本的核心要素。光刻掩模作为光刻技术的“底片”，其设计质量直接决定了晶体管结构的精准度。
掩膜
微流控中的电极掩膜版的制备工艺
在微流控芯片的制造过程中，掩膜版（Photomask）扮演着至关重要的角色。它也被称为光罩、光掩膜或光刻掩膜版，是微电子制造过程中的图形转移工具或母版。掩膜版承载了电子电路的核心技术参数，通过光刻过程，将掩膜版上的设计图形转移到光刻胶上，再经过刻蚀，将图形刻到
路维光电：显示技术迭代推动掩膜版“量、质”双升
近日，深圳市路维光电股份有限公司在业绩说明会上，回复了投资者关心的待掩膜版行业的景气度、国内半导体掩膜版的市场空间、掩膜版在先进封装的应用、公司在先进封装掩膜版的进展、公司的掩膜版技术优势等热点问题。
东方晶源启动HPO2.0产品规划与研发
在半导体制造的早期阶段，芯片制造主要遵循从电路设计到生产制造的单向线性流程。各个关键步骤间的信息传递和交接方法相对简单直接。例如，物理设计、掩膜合成、掩膜板写入、光刻优化、工艺优化、检测与量测以及最终对封装芯片进行测试等各个环节相对独立，信息交流非常有限，数据
路维光电2024年财报：营收8.76亿元，净利润1.74亿元
4月19日，深圳市路维光电股份有限公司发布2024年年度报告。报告期内，公司实现营业收入8.76亿元，较上年同期增加30.21%。实现归母净利润1.91亿元，较上年同期增加28.27%；实现扣非净利润1.74亿元，较上年同期增加39.56%。
半导体领域：“正宗的”5家企业
在国家政策与资金的大力扶持下，半导体产业蓬勃发展。以大基金三期为例，其注册资本达 3440 亿元人民币，超出一期与二期总和。大基金三期的投资方向预计聚焦于先进晶圆制造、先进封装、“卡脖子” 的上游半导体设备和材料，以及 AI 芯片产业链等，这将加快自主可控进程
掩膜版行业深度研究报告
掩膜版（Photomask，又称光罩、光刻掩膜版等）是微电子制造中光刻工艺使用的核心图形母版，由透明基板上覆盖不透明遮光膜，通过光刻将电路设计图形转移到晶圆或基板上 (〖掩膜版〗行业市场规模：2024年全球掩膜版行业市场规模约530亿元 半导体市场应用占比超7
“满血”版OLED要来了
到了 2025 年的今天，你打开购物软件，翻上半天都很难翻出一部用 LCD 屏幕的手机了，基本可以说， LCD 已经被各路厂商们抛弃了。
2029年全球精细金属掩膜版市场规模将达到74.3亿美元
据QYResearch调研团队最新报告“全球精细金属掩膜版市场报告2023-2029”显示，预计2029年全球精细金属掩膜版市场规模将达到74.3亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为30.5%。
金属 掩膜 darwin 金属掩膜 incorporatio 2025-03-25 00:06 9
半导体光学检测龙头企业诚锋科技下月竣工
致力于解决国内半导体视觉检测“瓶颈”问题，为半导体制造、平板显示、微纳加工等众多高科技领域企业提供高品质、高性能的掩膜版制造及检测设备的企业——湖南诚锋掩膜版设备有限公司即将于下月竣工。
突破！28nm全国产光刻机杀疯了
在光刻机方面，据2024年9月9号，工信部发布的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》显示，中国的氟化氩光刻机，已经实现了套刻≤8nm制程突破，这也就意味着从理论上来讲，该光刻机通过多重曝光的技术能够实现更先进制程芯片的制造，比如7nm，只
什么是高选择性蚀刻
华林科纳半导体高选择性蚀刻是指在半导体制造等精密加工中，通过化学或物理手段实现目标材料与非目标材料刻蚀速率的显著差异，从而精准去除指定材料并保护其他结构的工艺技术。其核心在于通过工艺优化控制不同材料的刻蚀速率比，达到>5:1甚至更高的选择比标准。
细分领域全球市占率第二 三年营收复合增长率近20% 新恒汇上市进程或加速
进入2025年，有迹象显示IPO批文的速度有明显提升。3月11日晚间，深交所官网信息显示，新恒汇电子股份有限公司（以下简称“新恒汇”或“公司”）已于当日正式向证监会提交注册申请并获得受理，向IPO发行上市前最后一道关卡冲击。
无金属掩膜版RGB自对位像素化技术
无金属掩膜版RGB自对位像素化技术（简称ViP技术）是维信诺公司全球首发的创新显示技术，通过半导体光刻工艺取代传统精细金属掩膜版（FMM），在AMOLED制造中实现了突破性进展。以下从技术特点、优势及应用三个方面详细解析：
超精细金属掩膜版FMM国产化现新进展 最大门槛在于攻克这一材料
有着“OLED行业光刻机”之称的FMM精密金属掩膜版（Fine Metal Mask，下称：FMM），及其Invar36金属薄带原材料迎来本土化新进展。
Nature Photonics | 基于深紫外microLED显示的无掩膜光刻技术与应用
近期，香港科技大学Feng Feng和南方科技大学刘召军教授等携手改进UVC微LED的制备工艺，成功实现了270 nm波长的高效UVC微LED，3 μm的微LED达到了创纪录的5.7%峰值外量子效率和396 W cm⁻²的最大亮度。以上成果在Nature Ph
2024年超30项Micro LED关键技术进展一览
这一年，Micro LED技术持续发展，产业内合作频繁，据LEDinside不完全统计，2024年新增合作案例已达17起。特别是在AR眼镜领域，Micro LED技术应用取得显著进展，全年新发布的Micro LED AR眼镜已达到8款，进一步推动了该技术在可穿
微流控SU8掩膜版的制作方法
微流控SU8掩膜版「链接」的制作是一个复杂的工艺过程，涉及到多个步骤。以下是详细的制作流程：