III-V Epi主张将GaAs用于新型激光器
虽然在大批量的5G、数据通信、电信和共封装光学应用中，GaAs是一种没有InP成熟的材料系统，但Richard Hogg表示，GaAs的波长范围为红光、650 nm量子阱到近红外、1300 nm量子点，与InP（工作波长在1200 nm到1700 nm之间）相
虽然在大批量的5G、数据通信、电信和共封装光学应用中，GaAs是一种没有InP成熟的材料系统，但Richard Hogg表示，GaAs的波长范围为红光、650 nm量子阱到近红外、1300 nm量子点，与InP（工作波长在1200 nm到1700 nm之间）相