上海积塔半导体申请基于沟槽栅的IGBT器件及其制备方法专利，减小IGBT晶圆内饱和压降Vcesat值离散性
国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“基于沟槽栅的IGBT器件及其制备方法”的专利，公开号CN 119132950 A，申请日期为2024年9月。
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长晶科技FST3.0 IGBT新品发布&光伏储能/逆变器/充电模块应用方案
长晶科技本次推出了FST3.0（对标国际Gen7.0） 650V和1200V系列的三款IGBT单管，主要用于光伏储能等应用。
康美特庞凯敏：高可靠性碳化硅IGBT器件封装材料
随着技术的不断进步，SiC IGBT器件的封装材料进一步优化，以满足更严苛的应用需求，推动电力电子装备向高效化、小型化方向发展?。近日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。