引线键合（Wire Bonding）原理：通过金属线（金、铜或铝）连接芯片焊盘与基板引脚，是最早的互连技术。应用场景：低密度封装，如消费电子和移动设备的DRAM/NAND芯片。摘要：引线键合（Wire Bonding）原理：通过金属线（金、铜或铝）连接芯片焊盘与基板引脚，是最早的互连技术。应用场景：低密度封装，如消费电子和移动设备的DRAM/NAND芯片。倒装芯片（Flip Chip）原理：芯片正面朝下，通过金属凸点（Bump）直接焊接至
倒装芯片（Flip Chip）原理：芯片正面朝下，通过金属凸点（Bump）直接焊接至基板，缩短电气路径，提升高频性能。应用场景：CPU、GPU、高速DRAM等高性能芯片。
硅通孔（TSV）键合原理：在硅芯片或中介层上钻孔并填充导电材料（如铜），实现垂直堆叠互连，支持3D封装。应用场景：高带宽存储器（HBM）、3D IC集成。
混合键合（Hybrid Bonding）原理：结合铜-铜直接键合和氧化物介质键合，实现无焊料、超细间距（应用场景：CMOS图像传感器、HBM高密度堆叠。
晶圆级封装（WLP）与扇出型封装（FOWLP）WLP：在晶圆阶段完成封装，支持芯片尺寸封装（Fan-In）和扩展型封装（Fan-Out）。FOWLP：通过环氧模塑料（EMC）扩展布线区域，实现多芯片集成，如苹果A系列处理器。
金属材料引线键合：金线（高导电性）、铜线（低成本但易氧化）、铝线（低端封装）。凸点与TSV：铜（主流填充材料）、焊料合金（Sn-Ag-Cu）。混合键合：铜（直接键合）、二氧化硅（介质层）。基板与中介层材料有机基板：低成本，用于消费电子；硅中介层：高布线密度（0.8μm线宽），但成本高。覆铜陶瓷基板：用于第三代半导体（如SiC）封装，具有高热导率，市场需求激增。保护与填充材料底部填充胶：环氧树脂，缓解热应力。模塑料：环氧模塑料（EMC），用于扇出型封装。电镀设备应用：晶圆凸块制备、TSV填充。代表产品：盛美半导体Ultra ECP GIII电镀设备，支持化合物半导体（SiC/GaN）晶圆级封装，均匀性达3%以内。键合与焊接设备真空共晶回流焊炉：中科光智的VSR系列，结合微波等离子去氧化技术，实现高可靠性钎焊。银烧结贴片机：用于碳化硅芯片封装，解决烧结过程中的碎裂问题。刻蚀与清洗设备TSV深孔刻蚀机：干法刻蚀技术，用于硅通孔形成。微波等离子清洗机：中科光智MWD系列，提升封装界面洁净度。封装测试设备覆铜陶瓷基板生产线：江丰电子子公司江丰同芯的国产化设备，满足第三代半导体需求。高密度与高频性能：混合键合、铜柱凸点技术将推动互连间距缩小至微米级。异质集成：Chiplet技术通过拆分功能模块降低成本，如5nm逻辑芯粒+28nm I/O芯粒组合。自动化与智能化：AI优化工艺参数，如Wire Bonder设备智能化升级。绿色封装：铜线替代金线、环保型清洗剂（如水基清洗剂）的应用。
通过以上技术、材料和设备的协同发展，半导体封装互连技术将持续推动高性能计算、AI芯片和5G通信领域的创新。
大家一块看看下边产品用了几种键合技术，分别是什么？
来源：半导体封装工程师之家一点号
