摘要：随着嵌入式系统不断挑战可靠性和耐用性的极限，内存技术必须跟上极端操作环境的步伐，EVERSPIN

随着嵌入式系统不断挑战可靠性和耐用性的极限，内存技术必须跟上极端操作环境的步伐，EVERSPIN MRAM为设计人员提供了一种稳定、快速、可扩展的静态RAM或NOR flash替代方案，确保在汽车、航空航天和工业应用中取得成功。

Everspin PERSYST MRAM因其高耐用性和可靠性而被广泛应用于关键存储领域。作为其温度范围内最快的MRAM，最新的PERSYST扩展提供了下一代嵌入式系统所需的性能和耐用性。EM064LX HR和EM128LX HR的工作温度范围为-40℃至+125℃，符合AEC-Q100 1级汽车应用标准。

64Mb和128Mb的容量–针对关键任务系统进行了优化。
四通道SPI接口–行业标准兼容性，易于集成。
与NOR闪存相比，写入速度更快–降低实时应用的系统开销。
更简单的架构–无需擦除，提高了系统利用率。
EM064LX和EM128LX 样品将在2025年6月，样品及相关产品信息可洽Everspin 代理英尚微电子。

来源：祭夏汽车问答