摘要：在3月26日开幕的，SEMICON China 2025大会上，除了国产半导体设备龙头北方华创，重磅宣布正式进军离子注入设备、电镀设备市场，并发布首款离子注入机Sirius MC 313、12英寸电镀设备（ECP）Ausip T830之外。

在3月26日开幕的，SEMICON China 2025大会上，除了国产半导体设备龙头北方华创，重磅宣布正式进军离子注入设备、电镀设备市场，并发布首款离子注入机Sirius MC 313、12英寸电镀设备（ECP）Ausip T830之外。

背靠深圳国资委的，国内半导体设备新锐创企——“新凯来”也迎来首秀，且首次亮相便爆火。

据悉，在今年的 Semicon China 现场，新凯来一口气带来了31款重磅产品，覆盖了半导体制造的多个流程。

涵盖了量检测、EPI（外延生长）、ETCH（刻蚀）、CVD（化学气相沉积）、PVD（物理气相沉积）和 ALD（原子层沉积）等多个领域。

展会首日展台火爆，也被视为国产半导体设备崛起的标志性事件。

与此同时，这家神秘且低调的中国半导体设备公司，也终于要走向台前。

根据其官网介绍，深圳市新凯来技术有限公司致力于半导体装备及零部件、电子制造设备的研发、制造、销售与服务。为半导体行业客户提供创新技术与产品解决方案，持续支撑行业健康发展。

公司核心团队具备20年以上电子设备技术开发经验，并联合了众多国内半导体制造设备和零部件合作伙伴，为国内半导体设备厂、FAB厂、电子电器设备厂、研究机构提供先进的解决方案，相关产品广泛应用于国内顶级制造企业和研究、测试机构。

另据，天眼查显示，深圳市新凯来技术有限公司，成立于2021年，企业注册资本达15亿元人民币，背后100%持股股东是深圳市深芯恒科技投资有限公司，而深芯恒科技的100%持股股东是深圳市重大产业投资集团，背后是深圳市国资委。该产投集团其董事长、法人戴军是国家大基金二期的监事，也是中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司的董事。

而产投集团的另一位高管黄秀章，也是中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司的监事。由此可见，新凯来背后产业背景的确是相当深厚。

低调多年后，此次大会，新凯来终于重磅带来，18款半导体工艺装备，包括刻蚀、薄膜、扩散装备。13款量检测装备，包括光学检测、光学量测、PX量测、功率检测，共31款产品。

ETCH刻蚀设备为武夷山系列，一共有四款12英寸刻蚀设备。

包括武夷山1号、2号、3号和5号，包括CCP（电容耦合等离子刻蚀）、ICP（电感耦合等离子体干法刻蚀）、自由基干法刻蚀。

ETCH刻蚀是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一道相当重要的步骤，是与光刻相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。

薄膜沉积设备，包括PVD物理气相沉积（普陀山系列）、CVD化学气相淀积（长白山系列）、ALD原子层沉积（阿里山系列）。

薄膜沉积，也是芯片制造的核心工艺之一，主要作用是在晶圆表面通过物理/化学方法交替堆叠绝缘介质薄膜和金属导电膜，这些薄膜上可以进行掩膜版图形转移（光刻）、刻蚀等工艺，最终形成各层电路结构。

PVD物理气相沉积设备，为普陀山系列，共3款，普陀山1号、2号和3号。

据介绍，普陀山1号是12英寸金属平面膜沉积设备，适用于逻辑、存储及先进封装；普陀山2号则是12英寸中道金属接触层及硬掩膜沉积设备，适用于逻辑、存储等主流半导体；普陀山3号属于后道金属互连场景，适用于逻辑、存储和先进封装等主流半导体。

ALD原子层沉积设备，包括阿里山1号、2号3号三款产品。以阿里山2号为例，具备单腔4-Station领先架构，覆盖先进逻辑刻蚀阻挡层薄膜应用场景，支持向未来先进节点演进，填补国内原子层沉积技术空白。

CVD化学气相淀积，包括长白山1号和3号两款产品，兼容多种制程节点，适配逻辑与存储芯片需求。

扩散产品，包括EPI峨眉山系列、RTP三清山系列。

EPI外延生长设备，为峨眉山系列，包括峨眉山1号、2号和3号三款产品，该系列支持第三代半导体材料（如锗硅、磷硅）外延工艺，满足先进制程多样化需求。

外延生长设备在芯片制造中起着至关重要的作用。外延生长是通过在单晶衬底上沉积一层或多层结构、厚度和掺杂浓度可控的单晶薄膜材料的技术，这些薄膜具有优异的晶体结构和电学性能，是制造高性能半导体器件的基础。

RTP退火设备，为三清山系列，1号、2号和3号，实现超低温退火与低热预算调控，提升晶圆制造效率。

退火设备是半导体制造和材料加工中不可或缺的关键设备，其主要功能是通过精确控制加热、保温和冷却过程，对材料进行热处理，以优化其晶体结构和性能。

量检测装备，涵盖了光学检测、光学量测、PX 量测、功率检测等领域。据悉，目前已在国内逻辑、存储和化合物的主要半导体制造企业开始量产应用。

光学检测产品：

包括岳麗山BFI（明场有图案晶圆缺陷检测产品）、丹霞山DFI（暗场有图案晶圆缺陷检测产品）、蓬莱山PC（无图案晶圆表面缺陷检测）、莫干山MBI（空白掩模缺陷检测）；

光学量测产品：

包括天门山DBO（衍射套刻量测产品）、天门山IBO（图形套刻量测产品）；PX量测产品，包括沂蒙山AFM（原子力显微镜量测产品）、赤壁山-XP XPS（X射线光电子能谱量测产品）、赤壁山-XD XRD（X射线衍射量测产品）、赤壁山-XF XRF（X射线荧光光谱量测产品）；

功率检测产品：

包括RATE-CP（晶圆电性能检测产品）、RATE-KGD（功率Die电性能检测产品）、RATE-FT（功率单管和模组电性能检测产品）。

量检测装备在工业生产中具有极其重要的作用。它们能够精确测量产品的各项参数，如尺寸、重量、性能等，从而确保产品符合设计要求和行业标准。

由于早期国内半导体制造企业主要依赖于国外厂商提供高端量检测装备，导致在可获得性和运维上受到限制。比如，在2021年之前，国内在量检测高端装备领域几乎是空白的，包括装备和对应的零部件、材料及工艺基础等都很薄弱。并且量检测装备技术不仅难度极高，售价也非常高昂，一台高端明场缺陷检测产品售价高达数百万至上千万美金。

在半导体制造领域，量检测装备的国产化进程具有重要意义。

随着北方华创这样的国产传统半导体设备巨头、以及新凯来这样的新兴力量的不断突破。半导体设备领域，长期被国际巨头垄断的格局正在被逐步打破，中国半导体产业也正向高端化、自主可控方向迈进。

来源：卓乎科技