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一种3D X-DRAM，可将容量提高10倍

NEO Semiconductor 再次宣布了一项新技术，希望彻底改变 DRAM 内存的状态。近日，该公司推出了两款新的 3D X-DRAM 电池设计，即 1T1C 和 3T0C。1 晶体管 1 电容器和 3 晶体管 0 电容器设计预计将于 2026 年生产概

消息显示，需求端受AI和进口价格不确定的影响，存储器代工厂正在逐步增加库存水平，加大对存储芯片的采购量。

自 20 纳米节点以来，DRAM 工艺技术的进步显著放缓。从 19 纳米到 11 纳米的开发跨越了从 1x 到即将到来的 1d 标记的多个节点，每次仅以 1 到 2 纳米的微小幅度推进。

去年12月，美国商务部工业和安全局（BIS）正式修订《出口管理条例》（EAR），对HBM及一系列半导体制造设备、软件工具施加更为严苛的出口管制，并将140家中国实体新增至出口管制清单。尤其是针对“memory bandwidth density”超过2GB/s

DRAM三构成：1）存储单元（Cell ），占据50%-55%面积：存储单元是DRAM芯片存储数据的最小单元，每个单元存储1bit数据（二进制0或1），单颗DRAM芯片的容量拓展主要是通过增加存储单元的数量实现（即提高单位面积下的存储单元密度），存储单元基本

【SK海力士：混合键合不仅可用于HBM 还可用于3D DRAM和NAND Flash】《科创板日报》3日讯，SK海力士副总裁近日在学术会议上表示，SK海力士正在推行混合键合在HBM上的应用。目前正处于研发阶段，预计最早将应用于HBM4E。据他介绍，目前客户对H

另一个有前途的领域是将电容器侧放，这将有助于减少层的厚度，以便将这些层垂直放置。芯片生产设备制造商 Lam Research 提出了几种实现这一目标的方法：翻转单元、移动位线和使用环境栅极晶体管（GAA）。考虑完全没有电容器的 DRAM 设计;提供浮体 DR

dram 制造商 3ddram 2025-01-03 15:57 15

内存行业以保守著称，通常倾向于渐进式改进而非革命性变革。但展望本世纪末，世界似乎将迎来 3D 单片堆叠 DRAM 的出现。剩下的唯一问题是它将采取何种形式以及何时可以投入量产。

dram 3ddram 浮体 2025-01-03 09:15 13

由于通过堆叠200多层实现了单片三维加工工艺，闪存的容量取得了令人惊叹的进步，未来几代产品有望达到1000层。但同样重要的动态随机存取存储器（DRAM）也已经实现了类似可量产的三维架构。然而，要找到一种足够大的电荷存储方式（比如电容器）却一直颇具难度。