迈向3D DRAM的第一步
由于通过堆叠200多层实现了单片三维加工工艺,闪存的容量取得了令人惊叹的进步,未来几代产品有望达到1000层。但同样重要的动态随机存取存储器(DRAM)也已经实现了类似可量产的三维架构。然而,要找到一种足够大的电荷存储方式(比如电容器)却一直颇具难度。
由于通过堆叠200多层实现了单片三维加工工艺,闪存的容量取得了令人惊叹的进步,未来几代产品有望达到1000层。但同样重要的动态随机存取存储器(DRAM)也已经实现了类似可量产的三维架构。然而,要找到一种足够大的电荷存储方式(比如电容器)却一直颇具难度。