SK海力士：混合键合不仅可用于HBM 还可用于3D DRAM和NAND Flash
【SK海力士：混合键合不仅可用于HBM 还可用于3D DRAM和NAND Flash】《科创板日报》3日讯，SK海力士副总裁近日在学术会议上表示，SK海力士正在推行混合键合在HBM上的应用。目前正处于研发阶段，预计最早将应用于HBM4E。据他介绍，目前客户对H
3ddram
内存制造商无法像3D NAND那样创建3D DRAM但这种情况很快就会改变
另一个有前途的领域是将电容器侧放，这将有助于减少层的厚度，以便将这些层垂直放置。芯片生产设备制造商 Lam Research 提出了几种实现这一目标的方法：翻转单元、移动位线和使用环境栅极晶体管 （GAA）。考虑完全没有电容器的 DRAM 设计;提供浮体 DR
3D DRAM，将要到来
内存行业以保守著称，通常倾向于渐进式改进而非革命性变革。但展望本世纪末，世界似乎将迎来 3D 单片堆叠 DRAM 的出现。剩下的唯一问题是它将采取何种形式以及何时可以投入量产。
迈向3D DRAM的第一步
由于通过堆叠200多层实现了单片三维加工工艺，闪存的容量取得了令人惊叹的进步，未来几代产品有望达到1000层。但同样重要的动态随机存取存储器（DRAM）也已经实现了类似可量产的三维架构。然而，要找到一种足够大的电荷存储方式（比如电容器）却一直颇具难度。