Q3 DRAM价格将继续涨
存储模组厂十铨召开法说会,总经理陈庆文表示,受惠于AI服务器持续强劲需求、原厂产能高度集中于HBM与高阶DDR5,加上PC与笔电升级需求带动DDR4拉货潮,公司预期第三季DRAM价格仍将续涨,涨幅约3%至5%,第四季价格则应持稳,全年内存价格应不会下跌。
存储模组厂十铨召开法说会,总经理陈庆文表示,受惠于AI服务器持续强劲需求、原厂产能高度集中于HBM与高阶DDR5,加上PC与笔电升级需求带动DDR4拉货潮,公司预期第三季DRAM价格仍将续涨,涨幅约3%至5%,第四季价格则应持稳,全年内存价格应不会下跌。
【TrendForce:预计 2025 年第三季度 DRAM 整体价格涨幅减缓】5 月 28 日消息,据 TrendForce 最新的内存现货价格趋势报告,DRAM 领域,DDR5 价格现放缓迹象,预计 2025 年第三季度其整体价格涨幅会减缓。在 NAND
dram trendforce dram价格 q3dram 2025-05-28 14:53 5
受中东人工智能投资和全球关税担忧的推动,DRAM 价格飙升,HBM 需求旺盛,预计将提振三星电子和 SK 海力士的盈利。主要客户正争相在美国可能加征关税之前囤积 DRAM,而美国芯片制造商英伟达与沙特阿拉伯达成的大规模人工智能芯片交易,也为韩国领先的内存芯片制
2025年5月13日,DRAM市场迎来新一轮涨价潮,部分型号价格单月涨幅高达50%,引发行业震动。据产业链消息,三星、SK海力士等存储巨头近期上调DDR4价格20%,DDR5价格亦上涨5%,主要受AI算力需求爆发及原厂产能调整影响。
Electronic Times 昨日援引业内未具名人士的话报道,三星电子本月初与主要客户就提高 DRAM 芯片售价达成一致。具体比例因客户而异,但平均上调率已确定:
在近期的市场动态中,DRAM和NAND价格的显著上涨引发了广泛关注。其中,DRAM固定交易价格在4月份上涨了22%,达到了每千兆字节1.65美元,而NAND闪存价格也上涨了11%,达到每128Gb2.79美元。这一价格波动主要是由于IT设备制造商为应对美国政府
由于特朗普政府引发的关税风险,IT设备制造商纷纷采取措施确保芯片库存,导致4月份DRAM和NAND的固定交易价格飙升。不仅高带宽存储器(HBM)等超高价位存储器的价格上涨,通用DRAM的价格也随之上涨,预计这将对三星电子和SK海力士第二季度的业绩产生积极影响。
DRAM是插入PC、智能手机和数据中心服务器设备等、用于临时存储数据的存储器。大宗交易价格由作为卖方的存储器制造商和作为应答的设备制造商和模组制造商按月或季度决定。
在DRAM市场,由于IT产品需求疲软以及中国企业供应增加,有预测称价格下跌将持续到今年下半年。值得注意的是,去年价格保持稳定的服务器DRAM价格下跌最为明显。据市场研究公司Omdia 2月7日报道,预计PC、服务器和移动DRAM的价格至少到今年第三季度仍将持续
威刚方面,公司1月的合并营收达到新台币28.14亿元,虽然工作天数因春节减少近四分之一,但营收仅比上月微降2.54%。
近期,知名咨询机构TrendForce集邦咨询在其最新发布的报告中,对2025年第一季度NAND Flash和DRAM市场的价格走势进行了预测。据该机构分析,NAND Flash和DRAM的合约价格均将在这一时期出现显著下滑。