MRAM、ReRAM 瞄准汽车机遇
MRAM 制造商 Everspin Technologies 最近宣布推出符合 AEC-Q100 标准的新型 MRAM 产品，而 Weebit Nano 已完成其 ReRAM 模块的 AEC-Q100 150 摄氏度运行认证。
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特色工艺，台积电怎么看？
如今，随着先进制程研发成本激增、量子隧穿效应等物理极限逼近，传统工艺升级的红利日益收窄。在摩尔定律逐渐放缓的当下，半导体行业正从单一依赖制程微缩的路径转向多元化创新。
灿芯股份2024年财报：营收利润双降，芯片定制业务能否扭转颓势？
2025年4月27日，灿芯股份发布2024年年报。报告显示，公司2024年实现营业总收入10.90亿元，同比下降18.77%；归属净利润为0.61亿元，同比大幅下滑64.19%；扣非净利润更是同比下降69.84%，仅为4404.61万元。尽管公司在芯片定制服务
闪迪正在研发颠覆性内存？
在2月11日分拆前不久举行的Sandisk投资者日上，即将上任的内存技术高级副总裁Alper Ilkbahar描述了他称之为3D矩阵内存的技术，认为这是公司未来的发展方向。在2022年2月加入西部数据/Sandisk之前，Ilkbahar自2016年9月起在英
突破内存瓶颈：人工智能性能的下一个前沿
随着人工智能（AI）的快速发展，从边缘人工智能（物联网设备）到为深度学习模型提供动力的大型数据中心，对更高性能、更低功耗和高效内存解决方案的需求涵盖了广泛的应用。尽管人工智能发展迅速，但内存仍然是其致命弱点。如果内存技术没有突破，人工智能性能提升将停滞不前。传
高良率（95%）车规级磁存储芯片MRAM研究进展
近年来，随着磁性隧道结（MTJ）存储器件的持续创新，磁性随机存储器（MRAM）在高可靠高性能MCU及SoC 中逐步实现应用，并将扮演越来越重要的角色。半导体头部代工厂如台积电（TSMC）、三星（Samsung）、格罗方德（Globalfoundries）等已纷
恩智浦发布基于16nm工艺的S32K5汽车MCU
感谢热心用户的线索提供。近日，恩智浦半导体公司正式发布了全新的 S32K5 系列汽车微控制器（MCU）。该系列 MCU 采用了 Arm Cortex M7+R52+M4 的多核架构设计，主频最高可达 800MHz，并配备 41MB 的 MRAM（嵌入式磁性随机
恩智浦首推16nm FinFET MRAM车规MCU，2025Q3出样引领汽车科技新潮流
恩智浦半导体公司近期揭晓了其最新的汽车微控制器（MCU）系列——S32K5，这一创新产品标志着汽车技术领域的又一重要进展。S32K5系列MCU采用了独特的多核设计，融合了Arm Cortex M7、R52及M4核心，主频高达800MHz，并配备了前所未有的41
mcu 恩智浦 finfet mram finfetmram 2025-03-14 08:51 14
恩智浦首推16nm车规级MCU，集成MRAM，2025年Q3供样
恩智浦半导体公司于本周二震撼发布了其最新的S32K5系列汽车微控制器（MCU），该系列MCU采用前沿的Arm Cortex M7+R52+M4多核架构，主频高达800MHz，并配备了高达41MB的MRAM（磁性随机存储器）。
恩智浦发布全球首款16nm FinFET MRAM车规级MCU，三季度开始出样
恩智浦半导体公司本周二发布了全新的 S32K5 系列汽车微控制器（MCU），采用 Arm Cortex M7+R52+M4 多核设计，最高 800MHz，同时配备了 41MB 的 MRAM（IT之家注：即嵌入式磁性随机存储器）。
非易失性MRAM的四大优势
MRAM技术在理论上具备超越DRAM的存取速度，接近SRAM的性能，并且在断电后能够保持数据不丢失。Everspin MRAM产品具有抗热消磁功能的eMRAM技术，该技术能够在150摄氏度的高温下保持数据长达数十年，并采用了22纳米制程技术。相较于现有的FLA
IMEC，加码MRAM
种子轮融资由 imec.xpand 领投，并得到 Eurazeo、XAnge、Vector Gestion 和 imec 的支持，该公司由首席执行官 Sylvain Dubois（前谷歌员工）和首席技术官 Sebastien Couet（前 imec 员工）创
一种新型存储技术问世！
在当前主流的存储器技术中，DRAM虽然速度快，但功耗大、容量低、成本高，且断电无法保存数据，使用场景受限；NAND Flash读写速度低，存储密度明显受限于工艺制程。
SOT-MRAM，中国公司实现关键突破
SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器）以其纳秒级写入速度和无限次擦写次数，是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术，有望解决当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。然而，SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性，特别是传统方案从原理上导致刻
SOT-MRAM中国公司实现关键突破
SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器）以其纳秒级写入速度和无限次擦写次数，是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术，有望解决当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。然而，SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性，特别是传统方案从原理上导致刻
MRAM，三项新进展
IEDM是全球最大的半导体器件技术与工艺技术国际学术会议，于2024年12月11日闭幕。这次也有不少值得关注的讲座（研究论文）。在本文中，我们将介绍与磁存储器（MRAM）相关的三项研究成果。