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突破内存瓶颈：人工智能性能的下一个前沿

随着人工智能（AI）的快速发展，从边缘人工智能（物联网设备）到为深度学习模型提供动力的大型数据中心，对更高性能、更低功耗和高效内存解决方案的需求涵盖了广泛的应用。尽管人工智能发展迅速，但内存仍然是其致命弱点。如果内存技术没有突破，人工智能性能提升将停滞不前。传

近年来，随着磁性隧道结（MTJ）存储器件的持续创新，磁性随机存储器（MRAM）在高可靠高性能MCU及SoC 中逐步实现应用，并将扮演越来越重要的角色。半导体头部代工厂如台积电（TSMC）、三星（Samsung）、格罗方德（Globalfoundries）等已纷

感谢热心用户的线索提供。近日，恩智浦半导体公司正式发布了全新的 S32K5 系列汽车微控制器（MCU）。该系列 MCU 采用了 Arm Cortex M7+R52+M4 的多核架构设计，主频最高可达 800MHz，并配备 41MB 的 MRAM（嵌入式磁性随机

恩智浦半导体公司近期揭晓了其最新的汽车微控制器（MCU）系列——S32K5，这一创新产品标志着汽车技术领域的又一重要进展。S32K5系列MCU采用了独特的多核设计，融合了Arm Cortex M7、R52及M4核心，主频高达800MHz，并配备了前所未有的41

恩智浦半导体公司于本周二震撼发布了其最新的S32K5系列汽车微控制器（MCU），该系列MCU采用前沿的Arm Cortex M7+R52+M4多核架构，主频高达800MHz，并配备了高达41MB的MRAM（磁性随机存储器）。

恩智浦半导体公司本周二发布了全新的 S32K5 系列汽车微控制器（MCU），采用 Arm Cortex M7+R52+M4 多核设计，最高 800MHz，同时配备了 41MB 的 MRAM（IT之家注：即嵌入式磁性随机存储器）。

MRAM技术在理论上具备超越DRAM的存取速度，接近SRAM的性能，并且在断电后能够保持数据不丢失。Everspin MRAM产品具有抗热消磁功能的eMRAM技术，该技术能够在150摄氏度的高温下保持数据长达数十年，并采用了22纳米制程技术。相较于现有的FLA

flash sram mram 2025-02-07 23:53 7

种子轮融资由 imec.xpand 领投，并得到 Eurazeo、XAnge、Vector Gestion 和 imec 的支持，该公司由首席执行官 Sylvain Dubois（前谷歌员工）和首席技术官 Sebastien Couet（前 imec 员工）创

imec mram 工研院 2025-01-15 17:29 8

在当前主流的存储器技术中，DRAM虽然速度快，但功耗大、容量低、成本高，且断电无法保存数据，使用场景受限；NAND Flash读写速度低，存储密度明显受限于工艺制程。

存储技术 mram cme 2025-01-13 18:12 10

SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器）以其纳秒级写入速度和无限次擦写次数，是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术，有望解决当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。然而，SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性，特别是传统方案从原理上导致刻

SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器）以其纳秒级写入速度和无限次擦写次数，是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术，有望解决当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。然而，SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性，特别是传统方案从原理上导致刻

IEDM是全球最大的半导体器件技术与工艺技术国际学术会议，于2024年12月11日闭幕。这次也有不少值得关注的讲座（研究论文）。在本文中，我们将介绍与磁存储器（MRAM）相关的三项研究成果。